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HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器
HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器1、概述1.1、HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器采用亥母霍茲線圈立式結構、屬于工頻暴露強磁場裝置,裝置分為交流/直流電源和亥姆霍茲線圈兩部分。線圈分上下2層,上層為暴露線圈,下層為偽暴露線圈,結構為一對匝數(shù)/內徑/外徑/高度完全相同的線圈,同軸放置,相同線圈之間放置的距離為線圈的平均半徑。線圈通電后在兩線圈之間的中心點周圍產生均勻的磁場空間。HM-2

HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器

1、概述

1.1、HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器采用亥母霍茲線圈立式結構、屬于工頻暴露強磁場裝置,裝置分為交流/直流電源和亥姆霍茲線圈兩部分。線圈分上下2層,上層為暴露線圈,下層為偽暴露線圈,結構為一對匝數(shù)/內徑/外徑/高度完全相同的線圈,同軸放置,相同線圈之間放置的距離為線圈的平均半徑。線圈通電后在兩線圈之間的中心點周圍產生均勻的磁場空間。

HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器的線圈采用銅管加絕緣層繞制,強制水冷冷卻方式結構,具有視野開闊、外形美觀、結構可靠、磁場強度大小調節(jié)的特點。

HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器能夠產生交流工頻磁場和直流磁場.

HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器廣泛用于實驗室生物細胞試驗,金屬熱處理、透熱、熔煉、焊接、熱套、非金屬間接加熱,尤其適用于內外均勻透熱、磁性材料感應加熱、磁場導航定位、磁性材料載藥、納米材料在磁場中應用、熱化療等,能多面滿足科研人員生物醫(yī)學工程研究、物理、化學、金相等實驗室研究、臨床試驗的要求。

1.2、HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器的磁場強度大小調節(jié)方便,可通過調節(jié)電源的電流電壓大小來改變。

1.3、HM-200AC/DC亥姆霍茲磁場發(fā)生器工作結構是力田工程師的精心設計之作。結構實用新型,加工制造容易,操作使用方便,性能穩(wěn)定,適于作為需抵抗強磁場干擾產品的出廠檢測裝置。

2、主要技術參數(shù)

2.1、磁場結構:一維亥姆霍茲線圈

2.2、磁場強度:  大于1000Gs

2.3、線圈內孔直徑:200

2.4、工作頻率:DC-200Hz

2.5、 冷卻方式:水冷(配置冷水機)

2.6、 直流電源:220A/20V

2.7、工頻電源:220A/300V,30Hz-100Hz

2.8、外形尺寸:720×500×420

2.9、重量:180KG

3.0、AC磁場參考表:

hm-200ccb.jpg

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